Một phần số :
BAP1321LX,315
nhà chế tạo :
NXP USA Inc.
Sự miêu tả :
RF DIODE PIN 60V 130MW 2DFN
Tình trạng một phần :
Obsolete
Điện áp - Đảo ngược cực đại (Max) :
60V
Hiện tại - Tối đa :
100mA
Điện dung @ Vr, F :
0.28pF @ 20V, 1MHz
Kháng @ Nếu, F :
1.3 Ohm @ 100mA, 100MHz
Nhiệt độ hoạt động :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
2-DFN1006D (0.6x1.0)