Một phần số :
IXFN50N120SK
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
48A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
52 mOhm @ 40A, 20V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
2.8V @ 10mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
115nC @ 20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
1895pF @ 1000V
Nhiệt độ hoạt động :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
SOT-227B
Gói / Vỏ :
SOT-227-4, miniBLOC