IXYS - IXTY1N100P

KEY Part #: K6395230

IXTY1N100P Giá cả (USD) [62346chiếc]

  • 1 pcs$0.72483
  • 70 pcs$0.72122

Một phần số:
IXTY1N100P
nhà chế tạo:
IXYS
Miêu tả cụ thể:
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - JFE, Transitor - Mục đích đặc biệt, Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors), Điốt - Zener - Đơn, Các bóng bán dẫn - FET, MOSFET - RF, Điốt - RF, Điốt - Chỉnh lưu cầu and Thyristors - SCR - Mô-đun ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in IXYS IXTY1N100P electronic components. IXTY1N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY1N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY1N100P Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : IXTY1N100P
nhà chế tạo : IXYS
Sự miêu tả : MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252
Loạt : Polar™
Tình trạng một phần : Active
Loại FET : N-Channel
Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 1A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss : 15 Ohm @ 500mA, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id : 4.5V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 15.5nC @ 10V
VSS (Tối đa) : ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 331pF @ 25V
Tính năng FET : -
Tản điện (Max) : 50W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp : TO-252, (D-Pak)
Gói / Vỏ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63