ON Semiconductor - MUN5316DW1T1G

KEY Part #: K6528806

MUN5316DW1T1G Giá cả (USD) [2059942chiếc]

  • 1 pcs$0.01796
  • 18,000 pcs$0.01264

Một phần số:
MUN5316DW1T1G
nhà chế tạo:
ON Semiconductor
Miêu tả cụ thể:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Mục đích đặc biệt, Transitor - IGBT - Mô-đun, Thyristors - DIAC, SIDAC, Các bóng bán dẫn - FET, MOSFET - RF, Thyristors - SCR, Điốt - Chỉnh lưu cầu, Transitor - Chức năng lập trình and Điốt - Zener - Mảng ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in ON Semiconductor MUN5316DW1T1G electronic components. MUN5316DW1T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MUN5316DW1T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MUN5316DW1T1G Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : MUN5316DW1T1G
nhà chế tạo : ON Semiconductor
Sự miêu tả : TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại bóng bán dẫn : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) : 100mA
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) : 50V
Điện trở - Cơ sở (R1) : 4.7 kOhms
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2) : -
Mức tăng hiện tại của DC (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce : 160 @ 5mA, 10V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic : 250mV @ 1mA, 10mA
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) : 500nA
Tần suất - Chuyển đổi : -
Sức mạnh tối đa : 250mW
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gói thiết bị nhà cung cấp : SC-88/SC70-6/SOT-363

Bạn cũng có thể quan tâm