nhà chế tạo :
Rohm Semiconductor
Sự miêu tả :
TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6
Tình trạng một phần :
Active
Loại bóng bán dẫn :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) :
500mA
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) :
70V
Điện trở - Cơ sở (R1) :
10 kOhms
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2) :
-
Mức tăng hiện tại của DC (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce :
500 @ 200mA, 5V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic :
300mV @ 1mA, 100mA
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) :
500nA (ICBO)
Tần suất - Chuyển đổi :
-
Gói / Vỏ :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gói thiết bị nhà cung cấp :
TSMT6 (SC-95)