nhà chế tạo :
Taiwan Semiconductor Corporation
Sự miêu tả :
DIODE GEN PURP 600V 1.5A SOD123W
Tình trạng một phần :
Active
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) :
600V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) :
1.5A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu :
1.1V @ 1.5A
Tốc độ :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) :
-
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr :
1µA @ 600V
Điện dung @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Gói thiết bị nhà cung cấp :
SOD123W
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ :
-55°C ~ 175°C