Vishay Semiconductor Diodes Division - UG5JT-E3/45

KEY Part #: K6445608

UG5JT-E3/45 Giá cả (USD) [7304chiếc]

  • 1,000 pcs$0.20095

Một phần số:
UG5JT-E3/45
nhà chế tạo:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Miêu tả cụ thể:
DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Thyristors - DIAC, SIDAC, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Điốt - Zener - Đơn, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, tiền thiên vị, Điốt - RF, Transitor - FET, MOSFET - Mảng and Transitor - Chức năng lập trình ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UG5JT-E3/45 electronic components. UG5JT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UG5JT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UG5JT-E3/45 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : UG5JT-E3/45
nhà chế tạo : Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả : DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
Loạt : -
Tình trạng một phần : Obsolete
Loại điốt : Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) : 600V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) : 5A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu : 1.75V @ 5A
Tốc độ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) : 50ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr : 30µA @ 600V
Điện dung @ Vr, F : -
Kiểu lắp : Through Hole
Gói / Vỏ : TO-220-2
Gói thiết bị nhà cung cấp : TO-220AC
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ : -55°C ~ 150°C

Bạn cũng có thể quan tâm
  • PMEG2010AEK,115

    NXP USA Inc.

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMT3.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

  • IDB09E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263.

  • VS-80EPS12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.