Comchip Technology - A1N4007G-G

KEY Part #: K6452452

A1N4007G-G Giá cả (USD) [2338035chiếc]

  • 1 pcs$0.01669
  • 5,000 pcs$0.01661
  • 10,000 pcs$0.01412
  • 25,000 pcs$0.01329
  • 50,000 pcs$0.01246
  • 125,000 pcs$0.01107

Một phần số:
A1N4007G-G
nhà chế tạo:
Comchip Technology
Miêu tả cụ thể:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41. Rectifiers AEC-Q101 RECTIFIER 1A 1000V
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Transitor - FET, MOSFET - Đơn, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, tiền thiên vị, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Tiền thiên vị, Điốt - Chỉnh lưu cầu, Transitor - JFE, Transitor - IGBT - Đơn and Transitor - IGBT - Mô-đun ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Comchip Technology A1N4007G-G electronic components. A1N4007G-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A1N4007G-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

A1N4007G-G Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : A1N4007G-G
nhà chế tạo : Comchip Technology
Sự miêu tả : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Loạt : Automotive, AEC-Q101
Tình trạng một phần : Active
Loại điốt : Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) : 1A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu : 1.1V @ 1A
Tốc độ : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) : -
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr : 5µA @ 1000V
Điện dung @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Kiểu lắp : Through Hole
Gói / Vỏ : DO-204AL, DO-41, Axial
Gói thiết bị nhà cung cấp : DO-41
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ : -55°C ~ 125°C

Bạn cũng có thể quan tâm
  • MBRD6100CT-TP

    Micro Commercial Co

    6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER

  • BYM10-800-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-600-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM07-300-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 300 Volt

  • SGL41-40-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO213AB.