Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N6484HE3/96

KEY Part #: K6457746

1N6484HE3/96 Giá cả (USD) [665064chiếc]

  • 1 pcs$0.05562
  • 6,000 pcs$0.05085

Một phần số:
1N6484HE3/96
nhà chế tạo:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Miêu tả cụ thể:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - IGBT - Mảng, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Mô-đun trình điều khiển điện, Thyristors - SCR, Transitor - IGBT - Mô-đun, Transitor - FET, MOSFET - Mảng, Transitor - JFE and Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6484HE3/96 electronic components. 1N6484HE3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N6484HE3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6484HE3/96 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : 1N6484HE3/96
nhà chế tạo : Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Loạt : SUPERECTIFIER®
Tình trạng một phần : Active
Loại điốt : Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) : 1000V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) : 1A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu : 1.1V @ 1A
Tốc độ : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) : -
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr : 10µA @ 1000V
Điện dung @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : DO-213AB, MELF (Glass)
Gói thiết bị nhà cung cấp : DO-213AB
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ : -65°C ~ 175°C

Bạn cũng có thể quan tâm
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM