ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400D-3DBLI

KEY Part #: K936848

IS43DR86400D-3DBLI Giá cả (USD) [15181chiếc]

  • 1 pcs$3.01847

Một phần số:
IS43DR86400D-3DBLI
nhà chế tạo:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Miêu tả cụ thể:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: PMIC - Bộ điều khiển cấp nguồn qua Ethernet (PoE), PMIC - Bộ điều chỉnh điện áp - Chuyển mạch + tuyến, PMIC - Bộ chuyển đổi RMS sang DC, Thu thập dữ liệu - Bộ điều khiển màn hình cảm ứng, Giao diện - Trình điều khiển, Người nhận, Bộ thu p, Ký ức, Thu thập dữ liệu - ADC / DAC - Mục đích đặc biệt and Tuyến tính - So sánh ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBLI electronic components. IS43DR86400D-3DBLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400D-3DBLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400D-3DBLI Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : IS43DR86400D-3DBLI
nhà chế tạo : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Sự miêu tả : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại bộ nhớ : Volatile
Định dạng bộ nhớ : DRAM
Công nghệ : SDRAM - DDR2
Kích thước bộ nhớ : 512Mb (64M x 8)
Tần số đồng hồ : 333MHz
Viết chu kỳ thời gian - Word, Trang : 15ns
Thời gian truy cập : 450ps
Giao diện bộ nhớ : Parallel
Cung cấp điện áp : 1.7V ~ 1.9V
Nhiệt độ hoạt động : -40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : 60-TFBGA
Gói thiết bị nhà cung cấp : 60-TWBGA (8x10.5)

Tin mới nhất

Bạn cũng có thể quan tâm
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16