Một phần số :
SIA814DJ-T1-GE3
nhà chế tạo :
Vishay Siliconix
Sự miêu tả :
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
Tình trạng một phần :
Obsolete
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
61 mOhm @ 3.3A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
11nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 10V
Tính năng FET :
Schottky Diode (Isolated)
Tản điện (Max) :
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gói / Vỏ :
PowerPAK® SC-70-6 Dual