S25FL512SAGBHVC13 Giá cả (USD) [17014chiếc]
- 1 pcs$2.69326
- Một phần số:
- S25FL512SAGBHVC13
- nhà chế tạo:
- Cypress Semiconductor Corp
- Miêu tả cụ thể:
- IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA. NOR Flash Nor
- Manufacturer's standard lead time:
- Trong kho
- Thời hạn sử dụng:
- Một năm
- Chip từ:
- Hồng Kông
- RoHS:
- Phương thức thanh toán:
-
- Cách gửi hàng:
- Thể loại gia đình:
- KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Logic - Đăng ký thay đổi, Logic - Cổng và biến tần, Logic - Logic đặc biệt, Giao diện - Công tắc tương tự - Mục đích đặc biệt, Thu thập dữ liệu - Bộ chuyển đổi kỹ thuật số sang , Tuyến tính - Xử lý video, Logic - Bộ nhớ hàng năm and PMIC - Trình điều khiển nửa cầu đầy đủ ...
- Lợi thế cạnh tranh:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp S25FL512SAGBHVC13 electronic components. S25FL512SAGBHVC13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S25FL512SAGBHVC13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S25FL512SAGBHVC13 Thuộc tính sản phẩm
Một phần số :
S25FL512SAGBHVC13
nhà chế tạo :
Cypress Semiconductor Corp
Sự miêu tả :
IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA
Loạt :
FL-S
Tình trạng một phần :
Active
Loại bộ nhớ :
Non-Volatile
Định dạng bộ nhớ :
FLASH
Công nghệ :
FLASH - NOR
Kích thước bộ nhớ :
512Mb (64M x 8)
Tần số đồng hồ :
133MHz
Viết chu kỳ thời gian - Word, Trang :
-
Thời gian truy cập :
-
Giao diện bộ nhớ :
SPI - Quad I/O
Cung cấp điện áp :
2.7V ~ 3.6V
Nhiệt độ hoạt động :
-40°C ~ 105°C (TA)
Kiểu lắp :
Surface Mount
Gói / Vỏ :
24-TBGA
Gói thiết bị nhà cung cấp :
24-BGA (8x6)
Tin mới nhất
Bạn cũng có thể quan tâm
-
-
AT28BV256-20SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
71V25761S183PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
-
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
Bộ phận nóng
- AT49BV163D-70TU-T
- MT48LC4M16A2TG-6 IT:G
- MT46V32M16FN-5B:F
- MT46V256M4P-6T:A
- AT49BV002ANT-70PI
- CY7C128A-15PC
- AT27C512R-90RI
- AT24C04N-10SI
- MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C
- 25AA640A-I/S16K
- S99GL01GP11TFIR10
- MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
- IS42SM32400G-75BLI-TR
- LE25FW056CS-TRM-E
- AT28HC64BF-70SU
- MT42L256M64D4LM-25 WT:A
- MT41DCHA-V80A:E
- MT29C4G96MAZBACKD-5 WT
- CY7C1380C-167AC
- AT28C64E-12TI
- W25Q32FVSSIG
- S25FL064P0XNFI001
- AT25DF041A-MHF-Y
- MT45W1MW16BDGB-701 IT
- MT41K512M4HX-187E:D
- CY7C1360S-166BZC
- CAT28F010HI12
- IDT71V35761S200PF8
- IDT71256SA12PZ8
- W631GG6KB12I TR
- S70FL01GSAGBHIC13
- 70V05L20J8
- 7038L15PF8
- S34ML02G104BHA010
- CY7C1263V18-375BZXC
- MT29F8G08AAAWP:A TR
- CY14B101K-SP35XCT
- IS42S16160B-6T
- CY7C1399BL-12ZXCT
- S25FL128SDPMFIG03
选择你的位置