Một phần số :
IS43LD16128B-25BLI
nhà chế tạo :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Sự miêu tả :
IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Kích thước bộ nhớ :
2Gb (128M x 16)
Viết chu kỳ thời gian - Word, Trang :
15ns
Giao diện bộ nhớ :
Parallel
Cung cấp điện áp :
1.14V ~ 1.95V
Nhiệt độ hoạt động :
-40°C ~ 85°C (TC)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
134-TFBGA (10x11.5)