BAS19,215 Giá cả (USD) [3986419chiếc]
- 1 pcs$0.00979
- 3,000 pcs$0.00974
- 6,000 pcs$0.00879
- 15,000 pcs$0.00764
- 30,000 pcs$0.00688
- 75,000 pcs$0.00611
- 150,000 pcs$0.00509
- Một phần số:
- BAS19,215
- nhà chế tạo:
- Nexperia USA Inc.
- Miêu tả cụ thể:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
- Manufacturer's standard lead time:
- Trong kho
- Thời hạn sử dụng:
- Một năm
- Chip từ:
- Hồng Kông
- RoHS:
- Phương thức thanh toán:
-
- Cách gửi hàng:
- Thể loại gia đình:
- KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Thyristors - SCR - Mô-đun, Các bóng bán dẫn - FET, MOSFET - RF, Transitor - IGBT - Mô-đun, Mô-đun trình điều khiển điện, Điốt - RF, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, tiền thiên vị, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF and Transitor - JFE ...
- Lợi thế cạnh tranh:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS19,215 electronic components. BAS19,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS19,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS19,215 Thuộc tính sản phẩm
Một phần số :
BAS19,215
nhà chế tạo :
Nexperia USA Inc.
Sự miêu tả :
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Loạt :
-
Tình trạng một phần :
Active
Loại điốt :
Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) :
200mA (DC)
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu :
1.25V @ 200mA
Tốc độ :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Thời gian phục hồi ngược (trr) :
50ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr :
100nA @ 100V
Điện dung @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Kiểu lắp :
Surface Mount
Gói / Vỏ :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị nhà cung cấp :
TO-236AB
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ :
150°C (Max)
Tin mới nhất
Bạn cũng có thể quan tâm
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Bộ phận nóng
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18
选择你的位置