Vishay Semiconductor Diodes Division - EGF1B-1HE3/5CA

KEY Part #: K6440027

[3958chiếc]


    Một phần số:
    EGF1B-1HE3/5CA
    nhà chế tạo:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Miêu tả cụ thể:
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA.
    Manufacturer's standard lead time:
    Trong kho
    Thời hạn sử dụng:
    Một năm
    Chip từ:
    Hồng Kông
    RoHS:
    Phương thức thanh toán:
    Cách gửi hàng:
    Thể loại gia đình:
    KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Điốt - RF, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, tiền thiên vị, Thyristors - SCR - Mô-đun, Các bóng bán dẫn - FET, MOSFET - RF, Điốt - Chỉnh lưu cầu, Transitor - FET, MOSFET - Mảng and Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors) ...
    Lợi thế cạnh tranh:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1B-1HE3/5CA electronic components. EGF1B-1HE3/5CA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGF1B-1HE3/5CA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGF1B-1HE3/5CA Thuộc tính sản phẩm

    Một phần số : EGF1B-1HE3/5CA
    nhà chế tạo : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Sự miêu tả : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
    Loạt : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
    Tình trạng một phần : Discontinued at Digi-Key
    Loại điốt : Standard
    Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V
    Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) : 1A
    Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu : 1V @ 1A
    Tốc độ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Thời gian phục hồi ngược (trr) : 50ns
    Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr : 5µA @ 100V
    Điện dung @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    Kiểu lắp : Surface Mount
    Gói / Vỏ : DO-214BA
    Gói thiết bị nhà cung cấp : DO-214BA (GF1)
    Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ : -65°C ~ 175°C

    Bạn cũng có thể quan tâm
    • MMBD1501A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

    • BAS29

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

    • SD103CW-G3-08

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 350MA 20V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 20Volt 15A IFSM

    • 1N4151W-HE3-08

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 500mA 2ns

    • 1N4448W-G3-18

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

    • BAV21W-G3-08

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250 Volt 200mA 50ns 1A IFSM