Vishay Siliconix - SI5411EDU-T1-GE3

KEY Part #: K6406001

SI5411EDU-T1-GE3 Giá cả (USD) [1471chiếc]

  • 3,000 pcs$0.09967

Một phần số:
SI5411EDU-T1-GE3
nhà chế tạo:
Vishay Siliconix
Miêu tả cụ thể:
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - FET, MOSFET - Đơn, Thyristors - DIAC, SIDAC, Transitor - IGBT - Mô-đun, Điốt - Chỉnh lưu cầu, Điốt - RF, Điốt - Chỉnh lưu - Mảng, Điốt - Zener - Đơn and Điốt - Zener - Mảng ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Siliconix SI5411EDU-T1-GE3 electronic components. SI5411EDU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5411EDU-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5411EDU-T1-GE3 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : SI5411EDU-T1-GE3
nhà chế tạo : Vishay Siliconix
Sự miêu tả : MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
Loạt : TrenchFET®
Tình trạng một phần : Obsolete
Loại FET : P-Channel
Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vss : 8.2 mOhm @ 6A, 4.5V
Vss (th) (Tối đa) @ Id : 900mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 105nC @ 8V
VSS (Tối đa) : ±8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 6V
Tính năng FET : -
Tản điện (Max) : 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động : -50°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp : PowerPAK® ChipFet Single
Gói / Vỏ : PowerPAK® ChipFET™ Single