Một phần số :
APTC80H15T3G
nhà chế tạo :
Microsemi Corporation
Sự miêu tả :
MOSFET 4N-CH 800V 28A SP3
Tình trạng một phần :
Active
Loại FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
28A
Rds On (Max) @ Id, Vss :
150 mOhm @ 14A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
3.9V @ 2mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
180nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
4507pF @ 25V
Nhiệt độ hoạt động :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
SP3