ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42VM32800K-75BLI-TR

KEY Part #: K938087

IS42VM32800K-75BLI-TR Giá cả (USD) [19114chiếc]

  • 1 pcs$2.86827
  • 2,500 pcs$2.85400

Một phần số:
IS42VM32800K-75BLI-TR
nhà chế tạo:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Miêu tả cụ thể:
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M, 1.8V, 133Mhz Mobile SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: PMIC - Quản lý điện năng - Chuyên ngành, Thu thập dữ liệu - Bộ chuyển đổi tương tự sang số , Thu thập dữ liệu - Bộ điều khiển màn hình cảm ứng, PMIC - Quản lý pin, Logic - Bộ đệm, Trình điều khiển, Người nhận, Bộ t, Thu thập dữ liệu - Potentiometer kỹ thuật số, Giao diện - UART (Máy phát thu không đồng bộ phổ q and PMIC - Quản lý nhiệt ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32800K-75BLI-TR electronic components. IS42VM32800K-75BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42VM32800K-75BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42VM32800K-75BLI-TR Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : IS42VM32800K-75BLI-TR
nhà chế tạo : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Sự miêu tả : IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại bộ nhớ : Volatile
Định dạng bộ nhớ : DRAM
Công nghệ : SDRAM - Mobile
Kích thước bộ nhớ : 256Mb (8M x 32)
Tần số đồng hồ : 133MHz
Viết chu kỳ thời gian - Word, Trang : -
Thời gian truy cập : 6ns
Giao diện bộ nhớ : Parallel
Cung cấp điện áp : 1.7V ~ 1.95V
Nhiệt độ hoạt động : -40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : 90-TFBGA
Gói thiết bị nhà cung cấp : 90-TFBGA (8x13)

Tin mới nhất

Bạn cũng có thể quan tâm
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S29GL512T11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR

  • S29GL512S11DHIV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor

  • S34MS01G100BHI900

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.