NXP USA Inc. - SI2302DS,215

KEY Part #: K6415203

[12491chiếc]


    Một phần số:
    SI2302DS,215
    nhà chế tạo:
    NXP USA Inc.
    Miêu tả cụ thể:
    MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23.
    Manufacturer's standard lead time:
    Trong kho
    Thời hạn sử dụng:
    Một năm
    Chip từ:
    Hồng Kông
    RoHS:
    Phương thức thanh toán:
    Cách gửi hàng:
    Thể loại gia đình:
    KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - FET, MOSFET - Mảng, Điốt - Zener - Mảng, Điốt - RF, Transitor - Mục đích đặc biệt, Mô-đun trình điều khiển điện, Thyristors - SCR - Mô-đun, Điốt - Chỉnh lưu - Đơn and Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF ...
    Lợi thế cạnh tranh:
    We specialize in NXP USA Inc. SI2302DS,215 electronic components. SI2302DS,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2302DS,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI2302DS,215 Thuộc tính sản phẩm

    Một phần số : SI2302DS,215
    nhà chế tạo : NXP USA Inc.
    Sự miêu tả : MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
    Loạt : TrenchMOS™
    Tình trạng một phần : Obsolete
    Loại FET : N-Channel
    Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
    Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 20V
    Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Tc)
    Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vss : 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
    Vss (th) (Tối đa) @ Id : 650mV @ 1mA
    Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 10nC @ 4.5V
    VSS (Tối đa) : ±8V
    Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 10V
    Tính năng FET : -
    Tản điện (Max) : 830mW (Tc)
    Nhiệt độ hoạt động : -65°C ~ 150°C (TJ)
    Kiểu lắp : Surface Mount
    Gói thiết bị nhà cung cấp : TO-236AB (SOT23)
    Gói / Vỏ : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    Bạn cũng có thể quan tâm
    • ZVP4105A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

    • ZVP2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • IRFIZ48G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRFI840G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.