Một phần số :
SI2302DDS-T1-GE3
nhà chế tạo :
Vishay Siliconix
Sự miêu tả :
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
2.9A (Tj)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
850mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
5.5nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Tản điện (Max) :
710mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
SOT-23-3 (TO-236)
Gói / Vỏ :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3