nhà chế tạo :
Rohm Semiconductor
Sự miêu tả :
MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
Tình trạng một phần :
Active
Loại FET :
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET :
Logic Level Gate
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
1.4A
Rds On (Max) @ Id, Vss :
240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
2.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
2nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
70pF @ 10V
Nhiệt độ hoạt động :
150°C (TJ)
Gói / Vỏ :
6-SMD, Flat Leads
Gói thiết bị nhà cung cấp :
TUMT6