Vishay Siliconix - SIHB065N60E-GE3

KEY Part #: K6416087

SIHB065N60E-GE3 Giá cả (USD) [11989chiếc]

  • 1 pcs$3.43746

Một phần số:
SIHB065N60E-GE3
nhà chế tạo:
Vishay Siliconix
Miêu tả cụ thể:
MOSFET E SERIES 600V D2PAK TO-2.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Điốt - Chỉnh lưu - Mảng, Transitor - FET, MOSFET - Mảng, Transitor - Chức năng lập trình, Điốt - Chỉnh lưu cầu, Transitor - JFE, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Tiền thiên vị, Transitor - IGBT - Đơn and Transitor - FET, MOSFET - Đơn ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB065N60E-GE3 electronic components. SIHB065N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB065N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB065N60E-GE3 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : SIHB065N60E-GE3
nhà chế tạo : Vishay Siliconix
Sự miêu tả : MOSFET E SERIES 600V D2PAK TO-2
Loạt : E
Tình trạng một phần : Active
Loại FET : N-Channel
Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss : 65 mOhm @ 16A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id : 5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 74nC @ 10V
VSS (Tối đa) : ±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 100V
Tính năng FET : -
Tản điện (Max) : 250W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp : D²PAK (TO-263)
Gói / Vỏ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Bạn cũng có thể quan tâm