Vishay Siliconix - SIHB35N60E-GE3

KEY Part #: K6399421

SIHB35N60E-GE3 Giá cả (USD) [13208chiếc]

  • 1 pcs$3.12016
  • 10 pcs$2.78743
  • 100 pcs$2.28569
  • 500 pcs$1.85085
  • 1,000 pcs$1.56096

Một phần số:
SIHB35N60E-GE3
nhà chế tạo:
Vishay Siliconix
Miêu tả cụ thể:
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - JFE, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Thyristors - TRIAC, Các bóng bán dẫn - FET, MOSFET - RF, Thyristors - SCR - Mô-đun, Thyristors - SCR, Transitor - Mục đích đặc biệt and Transitor - FET, MOSFET - Đơn ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB35N60E-GE3 electronic components. SIHB35N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB35N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB35N60E-GE3 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : SIHB35N60E-GE3
nhà chế tạo : Vishay Siliconix
Sự miêu tả : MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại FET : N-Channel
Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss : 94 mOhm @ 17A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id : 4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 132nC @ 10V
VSS (Tối đa) : ±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 2760pF @ 100V
Tính năng FET : -
Tản điện (Max) : 250W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp : D²PAK (TO-263)
Gói / Vỏ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Bạn cũng có thể quan tâm
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.