Một phần số :
SIHB35N60E-GE3
nhà chế tạo :
Vishay Siliconix
Sự miêu tả :
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
32A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
94 mOhm @ 17A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
132nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
2760pF @ 100V
Tản điện (Max) :
250W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
D²PAK (TO-263)
Gói / Vỏ :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB