Infineon Technologies - IPD50N06S214ATMA2

KEY Part #: K6420084

IPD50N06S214ATMA2 Giá cả (USD) [158392chiếc]

  • 1 pcs$0.23352
  • 2,500 pcs$0.22237

Một phần số:
IPD50N06S214ATMA2
nhà chế tạo:
Infineon Technologies
Miêu tả cụ thể:
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Thyristors - DIAC, SIDAC, Mô-đun trình điều khiển điện, Thyristors - SCR, Transitor - Chức năng lập trình, Điốt - Chỉnh lưu - Mảng, Thyristors - TRIAC, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng and Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Infineon Technologies IPD50N06S214ATMA2 electronic components. IPD50N06S214ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50N06S214ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD50N06S214ATMA2 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : IPD50N06S214ATMA2
nhà chế tạo : Infineon Technologies
Sự miêu tả : MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
Loạt : OptiMOS™
Tình trạng một phần : Active
Loại FET : N-Channel
Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 55V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss : 14.4 mOhm @ 32A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id : 4V @ 80µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 52nC @ 10V
VSS (Tối đa) : ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 1485pF @ 25V
Tính năng FET : -
Tản điện (Max) : 136W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp : PG-TO252-3-11
Gói / Vỏ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Bạn cũng có thể quan tâm