Vishay Siliconix - SI4276DY-T1-GE3

KEY Part #: K6524095

[3946chiếc]


    Một phần số:
    SI4276DY-T1-GE3
    nhà chế tạo:
    Vishay Siliconix
    Miêu tả cụ thể:
    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Trong kho
    Thời hạn sử dụng:
    Một năm
    Chip từ:
    Hồng Kông
    RoHS:
    Phương thức thanh toán:
    Cách gửi hàng:
    Thể loại gia đình:
    KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - IGBT - Mô-đun, Transitor - JFE, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Các bóng bán dẫn - FET, MOSFET - RF, Transitor - Mục đích đặc biệt, Điốt - Zener - Mảng, Thyristors - DIAC, SIDAC and Điốt - Zener - Đơn ...
    Lợi thế cạnh tranh:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4276DY-T1-GE3 electronic components. SI4276DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4276DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4276DY-T1-GE3 Thuộc tính sản phẩm

    Một phần số : SI4276DY-T1-GE3
    nhà chế tạo : Vishay Siliconix
    Sự miêu tả : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
    Loạt : TrenchFET®
    Tình trạng một phần : Obsolete
    Loại FET : 2 N-Channel (Dual)
    Tính năng FET : Logic Level Gate
    Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 30V
    Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 8A
    Rds On (Max) @ Id, Vss : 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V
    Vss (th) (Tối đa) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 26nC @ 10V
    Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 15V
    Sức mạnh tối đa : 3.6W, 2.8W
    Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Kiểu lắp : Surface Mount
    Gói / Vỏ : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Gói thiết bị nhà cung cấp : 8-SO

    Bạn cũng có thể quan tâm