Microsemi Corporation - APTGT200DH60G

KEY Part #: K6533193

APTGT200DH60G Giá cả (USD) [1087chiếc]

  • 1 pcs$39.78983
  • 100 pcs$37.85680

Một phần số:
APTGT200DH60G
nhà chế tạo:
Microsemi Corporation
Miêu tả cụ thể:
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Thyristors - SCR, Transitor - JFE, Thyristors - DIAC, SIDAC, Transitor - FET, MOSFET - Mảng, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Điốt - Zener - Mảng, Điốt - RF and Transitor - IGBT - Mảng ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT200DH60G electronic components. APTGT200DH60G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT200DH60G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200DH60G Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : APTGT200DH60G
nhà chế tạo : Microsemi Corporation
Sự miêu tả : IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại IGBT : Trench Field Stop
Cấu hình : Asymmetrical Bridge
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) : 600V
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) : 290A
Sức mạnh tối đa : 625W
Vce (bật) (Tối đa) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) : 250µA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce : 12.3nF @ 25V
Đầu vào : Standard
Nhiệt điện trở NTC : No
Nhiệt độ hoạt động : -40°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp : Chassis Mount
Gói / Vỏ : SP6
Gói thiết bị nhà cung cấp : SP6