nhà chế tạo :
Rohm Semiconductor
Sự miêu tả :
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Tình trạng một phần :
Not For New Designs
Loại bóng bán dẫn :
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) :
100mA, 500mA
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) :
50V, 12V
Điện trở - Cơ sở (R1) :
47 kOhms
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2) :
47 kOhms
Mức tăng hiện tại của DC (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce :
68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) :
500nA
Tần suất - Chuyển đổi :
250MHz, 320MHz
Gói / Vỏ :
SOT-563, SOT-666
Gói thiết bị nhà cung cấp :
EMT6