Vishay Siliconix - SIHB22N60S-GE3

KEY Part #: K6400781

[3278chiếc]


    Một phần số:
    SIHB22N60S-GE3
    nhà chế tạo:
    Vishay Siliconix
    Miêu tả cụ thể:
    MOSFET N-CH 650V TO263.
    Manufacturer's standard lead time:
    Trong kho
    Thời hạn sử dụng:
    Một năm
    Chip từ:
    Hồng Kông
    RoHS:
    Phương thức thanh toán:
    Cách gửi hàng:
    Thể loại gia đình:
    KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Thyristors - TRIAC, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Thyristors - SCR, Transitor - IGBT - Đơn, Transitor - Chức năng lập trình, Transitor - IGBT - Mảng, Thyristors - SCR - Mô-đun and Điốt - Chỉnh lưu - Mảng ...
    Lợi thế cạnh tranh:
    We specialize in Vishay Siliconix SIHB22N60S-GE3 electronic components. SIHB22N60S-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB22N60S-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIHB22N60S-GE3 Thuộc tính sản phẩm

    Một phần số : SIHB22N60S-GE3
    nhà chế tạo : Vishay Siliconix
    Sự miêu tả : MOSFET N-CH 650V TO263
    Loạt : S
    Tình trạng một phần : Obsolete
    Loại FET : N-Channel
    Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
    Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 600V
    Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 22A (Tc)
    Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vss : 190 mOhm @ 11A, 10V
    Vss (th) (Tối đa) @ Id : 4V @ 250µA
    Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 110nC @ 10V
    VSS (Tối đa) : ±30V
    Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 2.81nF @ 25V
    Tính năng FET : -
    Tản điện (Max) : 250W (Tc)
    Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Kiểu lắp : Surface Mount
    Gói thiết bị nhà cung cấp : D²PAK (TO-263)
    Gói / Vỏ : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Bạn cũng có thể quan tâm
    • IRLR2905ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • 2SK3045

      Panasonic Electronic Components

      MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

    • IPB04N03LA

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

    • IPB04N03LAT

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

    • SPB02N60S5ATMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263.

    • IRLR024PBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 14A DPAK.