ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16320E-5TLA1-TR

KEY Part #: K936852

IS46R16320E-5TLA1-TR Giá cả (USD) [15186chiếc]

  • 1 pcs$3.01727

Một phần số:
IS46R16320E-5TLA1-TR
nhà chế tạo:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Miêu tả cụ thể:
IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ. DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Giao diện - Bộ nối tiếp, Bộ giải mã, PMIC - Quản lý nhiệt, PMIC - Bộ chuyển đổi RMS sang DC, Đồng hồ / Thời gian - Pin IC, PMIC - Bộ chuyển đổi AC DC, Bộ chuyển đổi ngoại tu, Giao diện - Bộ mở rộng I / O, Giao diện - Công tắc tương tự, Bộ ghép kênh, Bộ tá and PMIC - Quản lý pin ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-5TLA1-TR electronic components. IS46R16320E-5TLA1-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16320E-5TLA1-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16320E-5TLA1-TR Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : IS46R16320E-5TLA1-TR
nhà chế tạo : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Sự miêu tả : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại bộ nhớ : Volatile
Định dạng bộ nhớ : DRAM
Công nghệ : SDRAM - DDR
Kích thước bộ nhớ : 512Mb (32M x 16)
Tần số đồng hồ : 200MHz
Viết chu kỳ thời gian - Word, Trang : 15ns
Thời gian truy cập : 700ps
Giao diện bộ nhớ : Parallel
Cung cấp điện áp : 2.3V ~ 2.7V
Nhiệt độ hoạt động : -40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Gói thiết bị nhà cung cấp : 66-TSOP II

Tin mới nhất

Bạn cũng có thể quan tâm
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16