Vishay Semiconductor Diodes Division - BAL99-G3-18

KEY Part #: K6458633

BAL99-G3-18 Giá cả (USD) [3236035chiếc]

  • 1 pcs$0.01206
  • 10,000 pcs$0.01200

Một phần số:
BAL99-G3-18
nhà chế tạo:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Miêu tả cụ thể:
DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 250mA 6ns 2A IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Các bóng bán dẫn - FET, MOSFET - RF, Transitor - FET, MOSFET - Mảng, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Mô-đun trình điều khiển điện, Điốt - Chỉnh lưu cầu, Thyristors - DIAC, SIDAC, Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors) and Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAL99-G3-18 electronic components. BAL99-G3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAL99-G3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAL99-G3-18 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : BAL99-G3-18
nhà chế tạo : Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả : DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
Loạt : Automotive, AEC-Q101
Tình trạng một phần : Active
Loại điốt : Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) : 70V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) : 250mA
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu : 1.25V @ 150mA
Tốc độ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) : 6ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr : 2.5µA @ 70V
Điện dung @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị nhà cung cấp : SOT-23
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ : -55°C ~ 150°C

Bạn cũng có thể quan tâm
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode