Infineon Technologies - IRLR3717TRPBF

KEY Part #: K6420183

IRLR3717TRPBF Giá cả (USD) [167648chiếc]

  • 1 pcs$0.22403
  • 2,000 pcs$0.22292

Một phần số:
IRLR3717TRPBF
nhà chế tạo:
Infineon Technologies
Miêu tả cụ thể:
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Điốt - Chỉnh lưu cầu, Transitor - IGBT - Mảng, Transitor - FET, MOSFET - Đơn, Điốt - RF, Thyristors - DIAC, SIDAC, Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors), Điốt - Zener - Đơn and Transitor - IGBT - Mô-đun ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Infineon Technologies IRLR3717TRPBF electronic components. IRLR3717TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3717TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR3717TRPBF Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : IRLR3717TRPBF
nhà chế tạo : Infineon Technologies
Sự miêu tả : MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Loạt : HEXFET®
Tình trạng một phần : Active
Loại FET : N-Channel
Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss : 4 mOhm @ 15A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id : 2.45V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 31nC @ 4.5V
VSS (Tối đa) : ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 2830pF @ 10V
Tính năng FET : -
Tản điện (Max) : 89W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp : D-Pak
Gói / Vỏ : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Bạn cũng có thể quan tâm