Vishay Siliconix - SI1002R-T1-GE3

KEY Part #: K6401178

[7983chiếc]


    Một phần số:
    SI1002R-T1-GE3
    nhà chế tạo:
    Vishay Siliconix
    Miêu tả cụ thể:
    MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A.
    Manufacturer's standard lead time:
    Trong kho
    Thời hạn sử dụng:
    Một năm
    Chip từ:
    Hồng Kông
    RoHS:
    Phương thức thanh toán:
    Cách gửi hàng:
    Thể loại gia đình:
    KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF, Transitor - Chức năng lập trình, Điốt - Chỉnh lưu - Mảng, Transitor - FET, MOSFET - Mảng, Thyristors - DIAC, SIDAC, Mô-đun trình điều khiển điện, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Tiền thiên vị and Thyristors - TRIAC ...
    Lợi thế cạnh tranh:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1002R-T1-GE3 electronic components. SI1002R-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1002R-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1002R-T1-GE3 Thuộc tính sản phẩm

    Một phần số : SI1002R-T1-GE3
    nhà chế tạo : Vishay Siliconix
    Sự miêu tả : MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
    Loạt : -
    Tình trạng một phần : Obsolete
    Loại FET : N-Channel
    Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
    Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 30V
    Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 610mA (Ta)
    Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vss : 560 mOhm @ 500mA, 4.5V
    Vss (th) (Tối đa) @ Id : 1V @ 250µA
    Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 2nC @ 8V
    VSS (Tối đa) : ±8V
    Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 36pF @ 15V
    Tính năng FET : -
    Tản điện (Max) : 220mW (Ta)
    Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Kiểu lắp : Surface Mount
    Gói thiết bị nhà cung cấp : SC-75A
    Gói / Vỏ : SC-75A