Một phần số :
DMN3018SSD-13
nhà chế tạo :
Diodes Incorporated
Sự miêu tả :
MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
Tình trạng một phần :
Active
Loại FET :
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET :
Logic Level Gate
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vss :
22 mOhm @ 10A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
2.1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
13.2nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
697pF @ 15V
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói / Vỏ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
8-SO