Một phần số :
APT25SM120S
nhà chế tạo :
Microsemi Corporation
Sự miêu tả :
POWER MOSFET - SIC
Tình trạng một phần :
Obsolete
Công nghệ :
SiCFET (Silicon Carbide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vss :
175 mOhm @ 10A, 20V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
2.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
72nC @ 20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Tản điện (Max) :
175W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
D3