Một phần số :
SIA811DJ-T1-GE3
nhà chế tạo :
Vishay Siliconix
Sự miêu tả :
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
Tình trạng một phần :
Obsolete
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
4.5A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
94 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
13nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
355pF @ 10V
Tính năng FET :
Schottky Diode (Isolated)
Tản điện (Max) :
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gói / Vỏ :
PowerPAK® SC-70-6 Dual