Micron Technology Inc. - MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR

KEY Part #: K938191

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR Giá cả (USD) [19516chiếc]

  • 1 pcs$2.34790

Một phần số:
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
nhà chế tạo:
Micron Technology Inc.
Miêu tả cụ thể:
IC FLASH 2G PARALLEL FBGA. NAND Flash SLC 2G 128MX16 FBGA
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: PMIC - Giám sát viên, PMIC - Bộ điều chỉnh điện áp - Bộ điều khiển chuyể, Giao diện - Ghi âm và phát lại, Giao diện - Mô-đun, PMIC - Bộ điều chỉnh điện áp - Chuyển mạch + tuyến, Logic - Chốt, Bộ nhớ - Pin and Giao diện - Cảm biến, cảm ứng điện dung ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR electronic components. MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
nhà chế tạo : Micron Technology Inc.
Sự miêu tả : IC FLASH 2G PARALLEL FBGA
Loạt : Automotive, AEC-Q100
Tình trạng một phần : Active
Loại bộ nhớ : Non-Volatile
Định dạng bộ nhớ : FLASH
Công nghệ : FLASH - NAND
Kích thước bộ nhớ : 2Gb (128M x 16)
Tần số đồng hồ : -
Viết chu kỳ thời gian - Word, Trang : -
Thời gian truy cập : -
Giao diện bộ nhớ : Parallel
Cung cấp điện áp : 1.7V ~ 1.95V
Nhiệt độ hoạt động : -40°C ~ 105°C (TA)
Kiểu lắp : -
Gói / Vỏ : -
Gói thiết bị nhà cung cấp : -

Bạn cũng có thể quan tâm
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W979H2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)