ITT Cannon, LLC - 120220-0202

KEY Part #: K7359492

120220-0202 Giá cả (USD) [779344chiếc]

  • 1 pcs$0.04770
  • 6,800 pcs$0.04746
  • 13,600 pcs$0.04271
  • 34,000 pcs$0.04208
  • 68,000 pcs$0.04113

Một phần số:
120220-0202
nhà chế tạo:
ITT Cannon, LLC
Miêu tả cụ thể:
UNIVERSAL CONTACT 1.8MM SMD. Battery Contacts
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Bộ dụng cụ đánh giá và phát triển RF, Bộ phát, thẻ RFID, Công tắc RF, RFI và EMI - Vật liệu che chắn và hấp thụ, Bộ ghép sóng RF, Phụ kiện RFID, Khiên RF and Mặt trước RF (LNA + PA) ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in ITT Cannon, LLC 120220-0202 electronic components. 120220-0202 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 120220-0202, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

120220-0202 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : 120220-0202
nhà chế tạo : ITT Cannon, LLC
Sự miêu tả : UNIVERSAL CONTACT 1.8MM SMD
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Kiểu : Shield Finger, Pre-Loaded
Hình dạng : -
Chiều rộng : 0.035" (0.90mm)
Chiều dài : 0.132" (3.35mm)
Chiều cao : 0.071" (1.80mm)
Vật chất : Beryllium Copper
Mạ : Nickel
Độ dày lớp mạ : 118.11µin (3.00µm)
Phương pháp đính kèm : Solder
Nhiệt độ hoạt động : -

Bạn cũng có thể quan tâm
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.