Một phần số :
SI4204DY-T1-GE3
nhà chế tạo :
Vishay Siliconix
Sự miêu tả :
MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
Tình trạng một phần :
Active
Loại FET :
2 N-Channel (Dual)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
19.8A
Rds On (Max) @ Id, Vss :
4.6 mOhm @ 10A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
2.4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
45nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
2110pF @ 10V
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói / Vỏ :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
8-SO