BAL99-G3-08 Giá cả (USD) [3236035chiếc]
- 1 pcs$0.01206
- 15,000 pcs$0.01200
- Một phần số:
- BAL99-G3-08
- nhà chế tạo:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Miêu tả cụ thể:
- DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 250mA 6ns 2A IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Trong kho
- Thời hạn sử dụng:
- Một năm
- Chip từ:
- Hồng Kông
- RoHS:
- Phương thức thanh toán:
-
- Cách gửi hàng:
- Thể loại gia đình:
- KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Thyristors - DIAC, SIDAC, Thyristors - SCR, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Điốt - RF, Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors), Thyristors - SCR - Mô-đun, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Tiền thiên vị and Điốt - Chỉnh lưu - Đơn ...
- Lợi thế cạnh tranh:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAL99-G3-08 electronic components. BAL99-G3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAL99-G3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAL99-G3-08 Thuộc tính sản phẩm
Một phần số :
BAL99-G3-08
nhà chế tạo :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả :
DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23
Loạt :
Automotive, AEC-Q101
Tình trạng một phần :
Active
Loại điốt :
Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) :
70V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) :
250mA
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu :
1.25V @ 150mA
Tốc độ :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) :
6ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr :
2.5µA @ 70V
Điện dung @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Kiểu lắp :
Surface Mount
Gói / Vỏ :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị nhà cung cấp :
SOT-23
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ :
-55°C ~ 150°C
Tin mới nhất
Bạn cũng có thể quan tâm
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Bộ phận nóng
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置