MMBD914-HE3-18 Giá cả (USD) [3067282chiếc]
- 1 pcs$0.01206
- 10,000 pcs$0.01115
- Một phần số:
- MMBD914-HE3-18
- nhà chế tạo:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Miêu tả cụ thể:
- DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 200mA 4ns
- Manufacturer's standard lead time:
- Trong kho
- Thời hạn sử dụng:
- Một năm
- Chip từ:
- Hồng Kông
- RoHS:
- Phương thức thanh toán:
-
- Cách gửi hàng:
- Thể loại gia đình:
- KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Tiền thiên vị, Transitor - Chức năng lập trình, Điốt - Chỉnh lưu - Đơn, Transitor - Mục đích đặc biệt, Thyristors - SCR - Mô-đun, Điốt - RF, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng and Điốt - Chỉnh lưu cầu ...
- Lợi thế cạnh tranh:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MMBD914-HE3-18 electronic components. MMBD914-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBD914-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MMBD914-HE3-18 Thuộc tính sản phẩm
Một phần số :
MMBD914-HE3-18
nhà chế tạo :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả :
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Loạt :
Automotive, AEC-Q101
Tình trạng một phần :
Active
Loại điốt :
Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) :
200mA
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu :
1V @ 10mA
Tốc độ :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Thời gian phục hồi ngược (trr) :
4ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr :
5µA @ 75V
Điện dung @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Kiểu lắp :
Surface Mount
Gói / Vỏ :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gói thiết bị nhà cung cấp :
SOT-23
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ :
150°C (Max)
Tin mới nhất
Bạn cũng có thể quan tâm
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Bộ phận nóng
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18
选择你的位置