Một phần số :
RS1E350BNTB
nhà chế tạo :
Rohm Semiconductor
Sự miêu tả :
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Tình trạng một phần :
Active
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
35A (Ta)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
1.7 mOhm @ 35A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
2.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
185nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
7900pF @ 15V
Tản điện (Max) :
35W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động :
150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
8-HSOP