Vishay Semiconductor Diodes Division - US1KHE3_A/H

KEY Part #: K6445400

US1KHE3_A/H Giá cả (USD) [717628chiếc]

  • 1 pcs$0.05154
  • 3,600 pcs$0.04961

Một phần số:
US1KHE3_A/H
nhà chế tạo:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Miêu tả cụ thể:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC. Rectifiers 800 Volt 1.0A 75ns 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Tiền thiên vị, Transitor - IGBT - Đơn, Điốt - Chỉnh lưu - Mảng, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, tiền thiên vị, Điốt - Chỉnh lưu cầu, Điốt - RF, Mô-đun trình điều khiển điện and Các bóng bán dẫn - FET, MOSFET - RF ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division US1KHE3_A/H electronic components. US1KHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1KHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

US1KHE3_A/H Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : US1KHE3_A/H
nhà chế tạo : Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả : DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Loạt : Automotive, AEC-Q101
Tình trạng một phần : Active
Loại điốt : Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) : 800V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) : 1A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu : 1.7V @ 1A
Tốc độ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) : 75ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr : 10µA @ 800V
Điện dung @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : DO-214AC, SMA
Gói thiết bị nhà cung cấp : DO-214AC (SMA)
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ : -55°C ~ 150°C

Bạn cũng có thể quan tâm
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.

  • VS-80EPF06PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC.