Vishay Siliconix - SI4214DDY-T1-E3

KEY Part #: K6525375

SI4214DDY-T1-E3 Giá cả (USD) [241294chiếc]

  • 1 pcs$0.15405
  • 2,500 pcs$0.15329

Một phần số:
SI4214DDY-T1-E3
nhà chế tạo:
Vishay Siliconix
Miêu tả cụ thể:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Thyristors - SCR, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, tiền thiên vị, Transitor - IGBT - Mảng, Thyristors - SCR - Mô-đun, Mô-đun trình điều khiển điện, Transitor - JFE, Transitor - FET, MOSFET - Mảng and Điốt - Chỉnh lưu - Đơn ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Siliconix SI4214DDY-T1-E3 electronic components. SI4214DDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4214DDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4214DDY-T1-E3 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : SI4214DDY-T1-E3
nhà chế tạo : Vishay Siliconix
Sự miêu tả : MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
Loạt : TrenchFET®
Tình trạng một phần : Active
Loại FET : 2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET : Logic Level Gate
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vss : 19.5 mOhm @ 8A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id : 2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 22nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V
Sức mạnh tối đa : 3.1W
Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị nhà cung cấp : 8-SO