nhà chế tạo :
Vishay Siliconix
Sự miêu tả :
MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
Tình trạng một phần :
Obsolete
Công nghệ :
MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
560mA (Ta)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vss :
1.5 Ohm @ 340mA, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
15nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 25V
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Gói / Vỏ :
4-DIP (0.300", 7.62mm)