Một phần số :
PMDPB56XN,115
nhà chế tạo :
NXP USA Inc.
Sự miêu tả :
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
Tình trạng một phần :
Obsolete
Loại FET :
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET :
Logic Level Gate
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vss :
73 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
1.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
2.9nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
170pF @ 15V
Nhiệt độ hoạt động :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói / Vỏ :
6-UDFN Exposed Pad
Gói thiết bị nhà cung cấp :
DFN2020-6