Một phần số :
APTM120H140FT1G
nhà chế tạo :
Microsemi Corporation
Sự miêu tả :
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
Tình trạng một phần :
Active
Loại FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vss :
1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id :
5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss :
145nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds :
3812pF @ 25V
Nhiệt độ hoạt động :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gói thiết bị nhà cung cấp :
SP1