Vishay Semiconductor Diodes Division - ES1D-E3/5AT

KEY Part #: K6455080

ES1D-E3/5AT Giá cả (USD) [1099474chiếc]

  • 1 pcs$0.03364
  • 7,500 pcs$0.02848
  • 15,000 pcs$0.02532
  • 37,500 pcs$0.02373
  • 52,500 pcs$0.02110

Một phần số:
ES1D-E3/5AT
nhà chế tạo:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Miêu tả cụ thể:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Tiền thiên vị, Thyristors - DIAC, SIDAC, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Transitor - IGBT - Mô-đun, Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors), Điốt - Zener - Đơn, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - RF and Thyristors - SCR - Mô-đun ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES1D-E3/5AT electronic components. ES1D-E3/5AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1D-E3/5AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1D-E3/5AT Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : ES1D-E3/5AT
nhà chế tạo : Vishay Semiconductor Diodes Division
Sự miêu tả : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại điốt : Standard
Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Hiện tại - Trung bình chỉnh lưu (Io) : 1A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ Nếu : 920mV @ 1A
Tốc độ : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr) : 25ns
Hiện tại - Rò rỉ ngược @ Vr : 5µA @ 200V
Điện dung @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói / Vỏ : DO-214AC, SMA
Gói thiết bị nhà cung cấp : DO-214AC (SMA)
Nhiệt độ hoạt động - Giao lộ : -55°C ~ 150°C

Bạn cũng có thể quan tâm
  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MBRB40250TG

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers REC D2PAK 40A 250V SHOTTKY

  • VS-50WQ04FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • SD103AW-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM

  • SD103BW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 30Volt 15A IFSM