Microsemi Corporation - APTGT600U170D4G

KEY Part #: K6532707

APTGT600U170D4G Giá cả (USD) [504chiếc]

  • 1 pcs$92.47423
  • 10 pcs$88.00937
  • 25 pcs$84.82073

Một phần số:
APTGT600U170D4G
nhà chế tạo:
Microsemi Corporation
Miêu tả cụ thể:
IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Điốt - Zener - Đơn, Transitor - Chức năng lập trình, Thyristors - SCR, Thyristors - SCR - Mô-đun, Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Đơn, Tiền thiên vị, Transitor - IGBT - Mảng, Transitor - FET, MOSFET - Mảng and Thyristors - TRIAC ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT600U170D4G electronic components. APTGT600U170D4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT600U170D4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT600U170D4G Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : APTGT600U170D4G
nhà chế tạo : Microsemi Corporation
Sự miêu tả : IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4
Loạt : -
Tình trạng một phần : Active
Loại IGBT : Trench Field Stop
Cấu hình : Single
Điện áp - Phân tích bộ phát Emitter (Max) : 1700V
Hiện tại - Collector (Ic) (Tối đa) : 1100A
Sức mạnh tối đa : 2900W
Vce (bật) (Tối đa) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 600A
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) : 1mA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce : 51nF @ 25V
Đầu vào : Standard
Nhiệt điện trở NTC : No
Nhiệt độ hoạt động : -40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Chassis Mount
Gói / Vỏ : D4
Gói thiết bị nhà cung cấp : D4

Bạn cũng có thể quan tâm
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.