S29GL256S10FHI020 Giá cả (USD) [19236chiếc]
- 1 pcs$2.38216
- Một phần số:
- S29GL256S10FHI020
- nhà chế tạo:
- Cypress Semiconductor Corp
- Miêu tả cụ thể:
- IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA. NOR Flash Nor
- Manufacturer's standard lead time:
- Trong kho
- Thời hạn sử dụng:
- Một năm
- Chip từ:
- Hồng Kông
- RoHS:
- Phương thức thanh toán:
-
- Cách gửi hàng:
- Thể loại gia đình:
- KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: PMIC - Bộ điều khiển chiếu sáng, dằn, Đồng hồ / Thời gian - Pin IC, Logic - Bộ nhớ hàng năm, Logic - Biên dịch viên, Người thay đổi cấp độ, Thu thập dữ liệu - ADC / DAC - Mục đích đặc biệt, Logic - Bộ đa năng, PMIC - Bộ sạc pin and PMIC - PFC (Hiệu chỉnh hệ số công suất) ...
- Lợi thế cạnh tranh:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL256S10FHI020 electronic components. S29GL256S10FHI020 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL256S10FHI020, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S29GL256S10FHI020 Thuộc tính sản phẩm
Một phần số :
S29GL256S10FHI020
nhà chế tạo :
Cypress Semiconductor Corp
Sự miêu tả :
IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA
Loạt :
GL-S
Tình trạng một phần :
Active
Loại bộ nhớ :
Non-Volatile
Định dạng bộ nhớ :
FLASH
Công nghệ :
FLASH - NOR
Kích thước bộ nhớ :
256Mb (16M x 16)
Tần số đồng hồ :
-
Viết chu kỳ thời gian - Word, Trang :
60ns
Thời gian truy cập :
100ns
Giao diện bộ nhớ :
Parallel
Cung cấp điện áp :
2.7V ~ 3.6V
Nhiệt độ hoạt động :
-40°C ~ 85°C (TA)
Kiểu lắp :
Surface Mount
Gói / Vỏ :
64-LBGA
Gói thiết bị nhà cung cấp :
64-FBGA (13x11)
Tin mới nhất
Bạn cũng có thể quan tâm
-
-
-
71V3577S75PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
-
TC58BYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
-
TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Bộ phận nóng
- CY7C09289V-9AXIT
- AT27BV040-12JU
- MT46V32M16TG-75E:C TR
- MT46V32M16TG-6T:F TR
- AT93C46-10PU-1.8
- MT46V8M16TG-6T:D TR
- AT49BV001NT-12JC
- AT28C64X-25JI
- NM27C010N150
- 93LC56CT-I/SN15KVAO
- W25Q128BVEJP
- AS4C128M32MD2-18BIN
- MT29E384G08EBHBBJ4-3:B
- MT53D4DANY-DC TR
- EDY4016AABG-DR-F-R TR
- S34MS01G200TFA000
- IS66WV51216DBLL-70BLI-TR
- MT35XL256ABA1GSF-0AAT TR
- MT46H128M32L2MC-5 WT:B
- MTFC16GJVEC-IT TR
- DS1245YL-70
- MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
- M29W128GL70N6F TR
- S29GL256N11FFVR22
- CY7C1472BV33-200BZCT
- IDT71T75902S75PF8
- IDT71T75902S75BGGI
- 71342SA45J
- 71342LA25PF8
- 70V9079S7PF
- 70V07S35PF8
- 70T3599S133DR
- 7006S25J8
- IS42S32800D-7TL-TR
- M58WR064ET70ZB6T
- CY7C0832V-133AXI
- AT24C16BN-SH-T
- S29GL256P10FFIS12
- CY62148DV30LL-55SXIT
- S25FS064SAGMFI011
选择你的位置