Infineon Technologies - BSC028N06LS3GATMA1

KEY Part #: K6418773

BSC028N06LS3GATMA1 Giá cả (USD) [76768chiếc]

  • 1 pcs$0.50934
  • 5,000 pcs$0.46725

Một phần số:
BSC028N06LS3GATMA1
nhà chế tạo:
Infineon Technologies
Miêu tả cụ thể:
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Trong kho
Thời hạn sử dụng:
Một năm
Chip từ:
Hồng Kông
RoHS:
Phương thức thanh toán:
Cách gửi hàng:
Thể loại gia đình:
KEY Linh kiện Công ty TNHH là một Nhà phân phối linh kiện điện tử cung cấp các loại sản phẩm bao gồm: Transitor - IGBT - Mô-đun, Thyristors - SCR - Mô-đun, Transitor - Chức năng lập trình, Điốt - Zener - Đơn, Thyristors - DIAC, SIDAC, Điốt - Điện dung biến (Varicaps, Varactors), Transitor - IGBT - Đơn and Transitor - FET, MOSFET - Đơn ...
Lợi thế cạnh tranh:
We specialize in Infineon Technologies BSC028N06LS3GATMA1 electronic components. BSC028N06LS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC028N06LS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC028N06LS3GATMA1 Thuộc tính sản phẩm

Một phần số : BSC028N06LS3GATMA1
nhà chế tạo : Infineon Technologies
Sự miêu tả : MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
Loạt : OptiMOS™
Tình trạng một phần : Active
Loại FET : N-Channel
Công nghệ : MOSFET (Metal Oxide)
Xả vào điện áp nguồn (Vdss) : 60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta), 100A (Tc)
Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vss : 2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vss (th) (Tối đa) @ Id : 2.2V @ 93µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss : 175nC @ 10V
VSS (Tối đa) : ±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds : 13000pF @ 30V
Tính năng FET : -
Tản điện (Max) : 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động : -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp : Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp : PG-TDSON-8
Gói / Vỏ : 8-PowerTDFN

Bạn cũng có thể quan tâm